H8205A Todos los transistores

 

H8205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H8205A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.86 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

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H8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hsmc
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Spec. No. : MOS200905 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.02.27 Revised Date : 2010.06.30 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H8205A 8-Lead Plastic TSSOP-8LDual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A) Package Code: TS H8205A Symbol & Pin Assignment Description 8 7 6 5 Pin 1: Drain Pin 2 / 3: Source 1 Q2This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version

 ..2. Size:355K  cn haohai electr
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H8205AN-Channel MOSFET6A, 19.5V, H 8205A H8205A TSSOP-8 HAOHAI H8205A-TS 3000Pcs 30000Pcs: NCE8205AUT8205AFS8205ACEG8205AS8205AGM8205AKI8205ATA8205ASTN8205AH8205A

 9.1. Size:658K  cet
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CEH8205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 5.2A , RDS(ON) TYP = 25 m @VGS = 4.5V. RDS(ON) TYP = 30m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead free product is acquired.D2(5)D1(2)TSOP-6 package.Halogen free.456G1(6) G2(4)321 S1(1) S2(3)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

 9.2. Size:47K  hsmc
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H8205A

Spec. No. : MOS200904 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.02.27 Revised Date : 2010.07.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H8205 Symbol & Pin Assignment H8205 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A) Pin 1: Source 1 4 3Pin 2: Drania 1 & 2 Q2Pin 3: Source 2 5 2Pin 4: Gate 2 Description Pin 5: Drania 1 & 2 6 1Pin 6: Gate 1 Q1This N-Channel 2.5V s

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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