Справочник MOSFET. H8205A

 

H8205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H8205A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для H8205A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hsmc
h8205a.pdfpdf_icon

H8205A

Spec. No. : MOS200905 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.02.27 Revised Date : 2010.06.30 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H8205A 8-Lead Plastic TSSOP-8LDual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A) Package Code: TS H8205A Symbol & Pin Assignment Description 8 7 6 5 Pin 1: Drain Pin 2 / 3: Source 1 Q2This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version

 ..2. Size:355K  cn haohai electr
h8205a.pdfpdf_icon

H8205A

H8205AN-Channel MOSFET6A, 19.5V, H 8205A H8205A TSSOP-8 HAOHAI H8205A-TS 3000Pcs 30000Pcs: NCE8205AUT8205AFS8205ACEG8205AS8205AGM8205AKI8205ATA8205ASTN8205AH8205A

 9.1. Size:658K  cet
ceh8205.pdfpdf_icon

H8205A

CEH8205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 5.2A , RDS(ON) TYP = 25 m @VGS = 4.5V. RDS(ON) TYP = 30m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead free product is acquired.D2(5)D1(2)TSOP-6 package.Halogen free.456G1(6) G2(4)321 S1(1) S2(3)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

 9.2. Size:47K  hsmc
h8205.pdfpdf_icon

H8205A

Spec. No. : MOS200904 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.02.27 Revised Date : 2010.07.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H8205 Symbol & Pin Assignment H8205 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A) Pin 1: Source 1 4 3Pin 2: Drania 1 & 2 Q2Pin 3: Source 2 5 2Pin 4: Gate 2 Description Pin 5: Drania 1 & 2 6 1Pin 6: Gate 1 Q1This N-Channel 2.5V s

Другие MOSFET... H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , IRF640N , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 .

History: FDFME2P823ZT | NCE60H15AD | OSG70R1KPF | IXTQ26N50P | MP15N60EIC | CS7N70F

 

 
Back to Top

 


 
.