H9435S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H9435S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90.96 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: SO8
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H9435S datasheet
h9435s.pdf
Spec. No. MOS200509(#) HI-SINCERITY Issued Date 2005.10.01 Revised Date 2010.07.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H9435S/H9435DS 8-Lead Plastic SO-8 Package Code S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A) H9435S Symbol & Pin Assignment Features 5 4 6 3 Pin 1 / 2 / 3 Source Pin 4 Gate 7 2 RDS(on)=60m @VGS=-10V, ID=-5.3A Pin 5 / 6
Otros transistores... H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , IRF640N , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F .
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