H9435S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H9435S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9.52 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90.96 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de H9435S MOSFET
H9435S Datasheet (PDF)
h9435s.pdf

Spec. No. : MOS200509(#) HI-SINCERITY Issued Date : 2005.10.01 Revised Date : 2010.07.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H9435S/H9435DS 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A) H9435S Symbol & Pin Assignment Features 5 46 3 Pin 1 / 2 / 3: Source Pin 4: Gate 7 2 RDS(on)=60m@VGS=-10V, ID=-5.3A Pin 5 / 6
Otros transistores... H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , IRF630 , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F .
History: AOC2806 | BUZ100SL-4 | KP978A | PDS4810 | 2SK1631
History: AOC2806 | BUZ100SL-4 | KP978A | PDS4810 | 2SK1631



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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