H9435S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H9435S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9.52 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90.96 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
H9435S Datasheet (PDF)
h9435s.pdf

Spec. No. : MOS200509(#) HI-SINCERITY Issued Date : 2005.10.01 Revised Date : 2010.07.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H9435S/H9435DS 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A) H9435S Symbol & Pin Assignment Features 5 46 3 Pin 1 / 2 / 3: Source Pin 4: Gate 7 2 RDS(on)=60m@VGS=-10V, ID=-5.3A Pin 5 / 6
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: KRF7313 | MTP10N35 | IPA50R380CE | STF13NK50Z | AP90T03GH
History: KRF7313 | MTP10N35 | IPA50R380CE | STF13NK50Z | AP90T03GH



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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