H9435S Todos los transistores

 

H9435S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H9435S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90.96 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de H9435S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

H9435S datasheet

 ..1. Size:106K  hsmc
h9435s.pdf pdf_icon

H9435S

Spec. No. MOS200509(#) HI-SINCERITY Issued Date 2005.10.01 Revised Date 2010.07.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H9435S/H9435DS 8-Lead Plastic SO-8 Package Code S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A) H9435S Symbol & Pin Assignment Features 5 4 6 3 Pin 1 / 2 / 3 Source Pin 4 Gate 7 2 RDS(on)=60m @VGS=-10V, ID=-5.3A Pin 5 / 6

Otros transistores... H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , IRF640N , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F .

History: SI2318DS-T1-GE3 | AGM4025D | S70N06RP

 

 

 


History: SI2318DS-T1-GE3 | AGM4025D | S70N06RP

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015

 

 

↑ Back to Top
.