H9435S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: H9435S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90.96 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для H9435S
H9435S Datasheet (PDF)
h9435s.pdf
Spec. No. : MOS200509(#) HI-SINCERITY Issued Date : 2005.10.01 Revised Date : 2010.07.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H9435S/H9435DS 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A) H9435S Symbol & Pin Assignment Features 5 46 3 Pin 1 / 2 / 3: Source Pin 4: Gate 7 2 RDS(on)=60m@VGS=-10V, ID=-5.3A Pin 5 / 6
Другие MOSFET... H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , IRF640N , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F .
History: 2SK3019EB | AP2302N-HF | SUD50N06-08H
History: 2SK3019EB | AP2302N-HF | SUD50N06-08H
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015


