Справочник MOSFET. H9435S

 

H9435S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H9435S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90.96 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H9435S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  hsmc
 h9435s.pdf pdf_icon

H9435S

Spec. No. : MOS200509(#) HI-SINCERITY Issued Date : 2005.10.01 Revised Date : 2010.07.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H9435S/H9435DS 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A) H9435S Symbol & Pin Assignment Features 5 46 3 Pin 1 / 2 / 3: Source Pin 4: Gate 7 2 RDS(on)=60m@VGS=-10V, ID=-5.3A Pin 5 / 6

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: ZXMS6004DG | AP6679GI | IAUC100N10S5N040 | STU601S | IPAW60R380CE | 4N60KL-TMS4-T | AP09N50P-HF

 

 
Back to Top

 


 
.