HIRF740 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HIRF740
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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HIRF740 datasheet
hirf740.pdf
Spec. No. MOS200512 HI-SINCERITY Issued Date 2005.09.01 Revised Date 2005.09.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF740 Series Pin Assignment HIRF740 / HIRF740F Tab N-Channel Power MOSFET (400V, 10A) 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N-Channel MOSFETs provide the designer with the best combination o
hirf730.pdf
Spec. No. MOS200406 HI-SINCERITY Issued Date 2004.10.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF730 Series Pin Assignment HIRF730 / HIRF730F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the
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