IRFP451FI Todos los transistores

 

IRFP451FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP451FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT218
 

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IRFP451FI datasheet

 7.1. Size:204K  international rectifier
 irfp450r irfp451r irfp452r irfp453r.pdf pdf_icon

IRFP451FI

 7.2. Size:489K  st
 irfp450 irfp451 irfp452 irfp453-fi.pdf pdf_icon

IRFP451FI

 7.3. Size:236K  inchange semiconductor
 irfp451.pdf pdf_icon

IRFP451FI

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP451 FEATURES Drain Current I = 13A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.4 (Max) DS(on) Fast Switching 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies a

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History: SE10080A | FDD044AN03L | HSCB2307 | STM4605 | QM2402J | JMSL0630AGD | PTW30N50EL

 

 
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