Справочник MOSFET. IRFP451FI

 

IRFP451FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP451FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218
 

 Аналог (замена) для IRFP451FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP451FI Datasheet (PDF)

 7.1. Size:204K  international rectifier
 irfp450r irfp451r irfp452r irfp453r.pdf pdf_icon

IRFP451FI

 7.2. Size:489K  st
 irfp450 irfp451 irfp452 irfp453-fi.pdf pdf_icon

IRFP451FI

 7.3. Size:236K  inchange semiconductor
 irfp451.pdf pdf_icon

IRFP451FI

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP451FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF823FI , IRF832FI , IRF833FI , IRF842FI , IRF843FI , IRFP151FI , IRFP152FI , IRFP153FI , STP80NF70 , IRFP452FI , IRFP453FI , IRFZ20FI , IRFZ22FI , MTH6N60FI , MTH40N06 , MTH40N06FI , MTP15N05L .

History: BUZ73A | A2N7002K | WMK10N65C4 | FDM50R120AN4G | OSG95R500HF | PS04N20SA

 

 
Back to Top

 


 
.