Справочник MOSFET. IRFP451FI

 

IRFP451FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP451FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP451FI Datasheet (PDF)

 7.1. Size:204K  international rectifier
 irfp450r irfp451r irfp452r irfp453r.pdf pdf_icon

IRFP451FI

 7.2. Size:489K  st
 irfp450 irfp451 irfp452 irfp453-fi.pdf pdf_icon

IRFP451FI

 7.3. Size:236K  inchange semiconductor
 irfp451.pdf pdf_icon

IRFP451FI

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP451FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: JCS10N60FC | OSG95R1K2FF | 2N65KG-TM3-T | STU16N65M2 | 1N60L-TMS2-T | WMN25N65EM | FCHD040N65S3

 

 
Back to Top

 


 
.