IRFP451FI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFP451FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT218
Аналог (замена) для IRFP451FI
IRFP451FI Datasheet (PDF)
irfp451.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP451FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a
Другие MOSFET... IRF823FI , IRF832FI , IRF833FI , IRF842FI , IRF843FI , IRFP151FI , IRFP152FI , IRFP153FI , 10N65 , IRFP452FI , IRFP453FI , IRFZ20FI , IRFZ22FI , MTH6N60FI , MTH40N06 , MTH40N06FI , MTP15N05L .
History: SST215 | 2SK2607 | AP20T15GM
History: SST215 | 2SK2607 | AP20T15GM
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet



