IRFP451FI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFP451FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT218
Аналог (замена) для IRFP451FI
IRFP451FI Datasheet (PDF)
irfp451.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP451FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a
Другие MOSFET... IRF823FI , IRF832FI , IRF833FI , IRF842FI , IRF843FI , IRFP151FI , IRFP152FI , IRFP153FI , 75N75 , IRFP452FI , IRFP453FI , IRFZ20FI , IRFZ22FI , MTH6N60FI , MTH40N06 , MTH40N06FI , MTP15N05L .
History: 2SK430S | 3N70G-TF3-T
History: 2SK430S | 3N70G-TF3-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet