IRFP453FI Todos los transistores

 

IRFP453FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP453FI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: ISOWATT218

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IRFP453FI datasheet

 7.1. Size:204K  international rectifier
 irfp450r irfp451r irfp452r irfp453r.pdf pdf_icon

IRFP453FI

 7.2. Size:489K  st
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IRFP453FI

 7.3. Size:236K  inchange semiconductor
 irfp453.pdf pdf_icon

IRFP453FI

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP453 FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.5 (Max) DS(on) Fast Switching 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies a

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History: STD14NM50N | KNY3204A | BSS316N | HYG067N07NQ1B | CS7N80FA9 | STG8810 | 2SK3575-Z

 

 

 

 

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