Справочник MOSFET. IRFP453FI

 

IRFP453FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP453FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP453FI Datasheet (PDF)

 7.1. Size:204K  international rectifier
 irfp450r irfp451r irfp452r irfp453r.pdf pdf_icon

IRFP453FI

 7.2. Size:489K  st
 irfp450 irfp451 irfp452 irfp453-fi.pdf pdf_icon

IRFP453FI

 7.3. Size:236K  inchange semiconductor
 irfp453.pdf pdf_icon

IRFP453FI

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP453FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.5(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRF8301MTRPBF | MS65R360F | IAUC100N10S5N040 | STU601S | RJK0206DPA | RF4E070BN | CS6N65U

 

 
Back to Top

 


 
.