SGSP591 Todos los transistores

 

SGSP591 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGSP591
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 110 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

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SGSP591 Datasheet (PDF)

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