SGSP591 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGSP591

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de subida (tr): 110 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.033 Ohm

Paquete / Cubierta: TO3

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SGSP591 Datasheet (PDF)

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