Справочник MOSFET. SGSP591

 

SGSP591 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SGSP591
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для SGSP591

 

 

SGSP591 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:371K  st
sgsp591-sgsp592.pdf

SGSP591
SGSP591

 9.1. Size:353K  st
sgsp577.pdf

SGSP591
SGSP591

 9.2. Size:347K  st
sgsp579.pdf

SGSP591
SGSP591

 9.3. Size:370K  st
sgsp574-sgsp575.pdf

SGSP591
SGSP591

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top