19MT050XF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 19MT050XF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1140 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: MTP
Búsqueda de reemplazo de 19MT050XF MOSFET
19MT050XF Datasheet (PDF)
19mt050xf.pdf
19MT050XFHEXFET Power MOSFET"FULL-BRIDGE" FREDFET MTPFeatures 31 A VDSS = 500V Benefits
19mt050xfapbf.pdf
19MT050XFAPbFVishay Semiconductors"Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 AFEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fastrecovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltageand current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996MTP Compliant to RoHS directive
19mt050x.pdf
19MT050XFAPbFVishay Semiconductors"Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 AFEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fastrecovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltageand current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996MTP Compliant to RoHS directive
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History: FDS6680S | STN4260 | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | PK5G6EA | HMS60N10D
History: FDS6680S | STN4260 | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | PK5G6EA | HMS60N10D
Liste
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