19MT050XF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 19MT050XF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 165 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1165 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: MTP
19MT050XF Datasheet (PDF)
19mt050xf.pdf
19MT050XFHEXFET Power MOSFET"FULL-BRIDGE" FREDFET MTPFeatures 31 A VDSS = 500V Benefits
19mt050xfapbf.pdf
19MT050XFAPbFVishay Semiconductors"Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 AFEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fastrecovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltageand current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996MTP Compliant to RoHS directive
19mt050x.pdf
19MT050XFAPbFVishay Semiconductors"Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 AFEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fastrecovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltageand current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996MTP Compliant to RoHS directive
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918