19MT050XF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 19MT050XF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: MTP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 19MT050XF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

19MT050XF даташит

 ..1. Size:188K  international rectifier
 19mt050xf.pdf pdf_icon

19MT050XF

19MT050XF HEXFET Power MOSFET "FULL-BRIDGE" FREDFET MTP Features 31 A VDSS = 500V Benefits

 0.1. Size:210K  vishay
 19mt050xfapbf.pdf pdf_icon

19MT050XF

19MT050XFAPbF Vishay Semiconductors "Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 A FEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fast recovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996 MTP Compliant to RoHS directive

 6.1. Size:210K  vishay
 19mt050x.pdf pdf_icon

19MT050XF

19MT050XFAPbF Vishay Semiconductors "Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 A FEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fast recovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996 MTP Compliant to RoHS directive

Другие IGBT... STLT20, STLT20FI, STLT29, STLT30, STVHD90, BF244A, BF244B, BF244C, IRF9540N, 2SJ104, 2SJ107, 2SJ108, 2SJ109, 2SJ113, 2SJ115, 2SJ116, 2SJ117