2SJ104 Todos los transistores

 

2SJ104 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ104

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 40 Ohm

Encapsulados: TO92

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2SJ104 datasheet

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2SJ104

2SJ104 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ104 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit mm and Impedance Converter Applications High input impedance IGSS = 1.0 nA (max) (V = 25 V) GS Low R = 40 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON) DSS Complimentary to 2SK364 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbo

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2SJ104

2SJ106 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ106 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage VGDS = 50 V High input impedance I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON) DS (O

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2SJ104

2SJ108 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ108 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit mm Recommended for first stages of EQ amplifiers and MC head amplifiers. High Y Y = 22 mS (typ.) fs fs (V = -10 V, V = 0, I = -3 mA) DS GS DSS Low noise En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (V = -10 V, I = -1 mA, f = 1 kHz) DS D High i

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2SJ104

Otros transistores... STLT20FI , STLT29 , STLT30 , STVHD90 , BF244A , BF244B , BF244C , 19MT050XF , IRF9540N , 2SJ107 , 2SJ108 , 2SJ109 , 2SJ113 , 2SJ115 , 2SJ116 , 2SJ117 , 2SJ118 .

 

 

 


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