2SJ109 Todos los transistores

 

2SJ109 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ109
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm
   Paquete / Cubierta: 2-10M1A
 

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2SJ109 Datasheet (PDF)

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2SJ109

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2SJ109

2SJ106 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ106 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage: VGDS = 50 V High input impedance: I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R : R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON) DS (O

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2SJ109

2SJ108 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ108 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit: mm Recommended for first stages of EQ amplifiers and MC head amplifiers. High |Y |: |Y | = 22 mS (typ.) fs fs(V = -10 V, V = 0, I = -3 mA) DS GS DSS Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (V = -10 V, I = -1 mA, f = 1 kHz) DS D High i

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History: IRF7726PBF | CEF740G | HM3205D | BSC050N10NS5 | 2N7002NXAK | INK0102AU1 | MTP2N60E

 

 
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