2SJ117 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ117  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO220AB

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 2SJ117 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SJ117 datasheet

 ..1. Size:20K  hitachi
 2sj117.pdf pdf_icon

2SJ117

2SJ117 Silicon P-Channel MOS FET ADE-208-1180 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features High speed switching Good frequency characteristics Wide area of safe operation Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators. Outline TO-220AB D 1 2 3 1. Gate 2. Drain G (Flange) 3. Source S 2SJ117

 9.1. Size:208K  hitachi
 2sj116.pdf pdf_icon

2SJ117

 9.2. Size:43K  hitachi
 2sj113.pdf pdf_icon

2SJ117

 9.3. Size:53K  no
 2sj115.pdf pdf_icon

2SJ117

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 19MT050XF, 2SJ104, 2SJ107, 2SJ108, 2SJ109, 2SJ113, 2SJ115, 2SJ116, SPP20N60C3, 2SJ118, 2SJ119, 2SJ130, 2SJ175, 2SJ181, 2SJ244, 2SJ307, 2SJ317