2SK1016 Todos los transistores

 

2SK1016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1016

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.36 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1016

 

2SK1016 Datasheet (PDF)

0.1. 2sk1016.pdf Size:1624K _fuji

2SK1016
2SK1016

0.2. 2sk1016-01.pdf Size:176K _fuji

2SK1016
2SK1016

 0.3. 2sk1016.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

2SK1016
2SK1016

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1016DESCRIPTIONDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 500 VDSS GS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


2SK1016
  2SK1016
  2SK1016
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: HSW8810 | HSW8205 | HSW6811 | HSW6800 | HSW6604 | HSW4602 | HSW3415 | HSW2N15 | HSU90N03 | HSU90N02 | HSU80N03 | HSU70P06 | HSU6903 | HSU6901 | HSU6115 | HSU6113

 

 

 
Back to Top