2SK1082 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1082
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 90 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 110 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.1 Ohm
Empaquetado / Estuche: SC65
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1082
2SK1082 Datasheet (PDF)
1.1. 2sk1082.pdf 
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1.2. 2sk1082-01.pdf Size:163K _fuji
4.1. 2sk1089.pdf Size:183K _update
N-channel MOS-FET 2SK1089 F-III Series 60V 0,035Ω 35A 80W > Features > Outline Drawing - High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Forward Transconductance > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters > Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit - Absolute Maximum Ratings (TC=25°C),
4.2. 2sk1081-01.pdf Size:165K _fuji
4.3. 2sk1086.pdf Size:143K _fuji
Otros transistores... 2SJ50 , 2SJ574 , 2SJ576 , 2SJ590LS , 2SJ601 , 2SJ601Z , 2SJ74 , 2SK1016 , IRF9640 , 2SK1086 , 2SK1093 , 2SK1094 , 2SK1095 , 2SK1096-MR , 2SK1098-M , 2SK1099 , 2SK1117 .
