2SK1082 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1082

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 90 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 110 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC65

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2SK1082 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk1082.pdf Size:1246K _fuji

1.2. 2sk1082-01.pdf Size:163K _fuji

4.1. 2sk1089.pdf Size:183K _update

N-channel MOS-FET 2SK1089 F-III Series 60V 0,035Ω 35A 80W > Features > Outline Drawing - High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Forward Transconductance > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters > Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit - Absolute Maximum Ratings (TC=25°C),

4.2. 2sk1081-01.pdf Size:165K _fuji