2SK1082 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1082
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SC65
Búsqueda de reemplazo de 2SK1082 MOSFET
2SK1082 Datasheet (PDF)
2sk1082.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1082DESCRIPTIONDrain Current I =6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =900V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 9
Otros transistores... 2SJ50 , 2SJ574 , 2SJ576 , 2SJ590LS , 2SJ601 , 2SJ601Z , 2SJ74 , 2SK1016 , 2N60 , 2SK1086 , 2SK1093 , 2SK1094 , 2SK1095 , 2SK1096-MR , 2SK1098-M , 2SK1099 , 2SK1117 .
History: SST202 | NCE85H21TC | STD5NK50Z | UT8205AL-S08-R
History: SST202 | NCE85H21TC | STD5NK50Z | UT8205AL-S08-R
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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