2SK1082 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1082
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 90 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 110 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.1 Ohm
Empaquetado / Estuche: SC65
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1082
2SK1082 Datasheet (PDF)
1.1. 2sk1082.pdf 
Size:1246K _fuji
1.2. 2sk1082-01.pdf Size:163K _fuji
4.1. 2sk1089.pdf Size:183K _update
N-channel MOS-FET 2SK1089 F-III Series 60V 0,035Ω 35A 80W > Features > Outline Drawing - High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Forward Transconductance > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters > Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit - Absolute Maximum Ratings (TC=25°C),
4.2. 2sk1081-01.pdf Size:165K _fuji
4.3. 2sk1086.pdf Size:143K _fuji
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SPA07N60C2 | SPB07N60C2 | SPP07N60C2 | SI2300A | NTD4809NHG | NTD4809NH | IPU09N03LA | IPS09N03LA | IPF09N03LA | IPD09N03LA | BSC0906NS | 2SK0123 | 2SJ455 | R9522 | R9521 |