2SK1098-M Todos los transistores

 

2SK1098-M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1098-M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F15
 

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2SK1098-M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  fuji
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2SK1098-M

N-channel MOS-FET2SK1098-MF-III Series 150V 0,5 6A 30W> Features > Outline Drawing- High Current- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Forward Transconductance> Applications- Motor Control- General Purpose Power Amplifier- DC-DC converters> Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit- Absolute Maximum Ratings (TC=25C),

 8.1. Size:60K  fuji
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2SK1098-M

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2SK1098-M

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2SK1098-M

2SK1093Silicon N-Channel MOS FETApplicationTO220FMHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance21 High speed switching23 Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source 1 Suitable for motor drive, DC-DC converter,1. Gatepower switch and solenoid drive2. Drain3. Source3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta

Otros transistores... 2SJ74 , 2SK1016 , 2SK1082 , 2SK1086 , 2SK1093 , 2SK1094 , 2SK1095 , 2SK1096-MR , K2611 , 2SK1099 , 2SK1117 , 2SK1118 , 2SK1153 , 2SK1154 , 2SK1157 , 2SK1161 , 2SK1165 .

History: HM2302E | SIHFBC30 | IRFS832 | ELM16400EA | FDR8305N | ZXMP4A16G | NCE65N460

 

 
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