2SK168 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK168
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm
Encapsulados: TO92
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2SK168 datasheet
2sk168.pdf
2SK168 Silicon N-Channel Junction FET Application VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator Outline TO-92 (2) 1. Gate 2. Source 3. Drain 3 2 1 2SK168 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Gate to drain voltage VGDO 30 V Gate to source voltage VGSS 1 V Gate current IG 10 mA Drain current ID 20 mA Channel power dissipation Pch 200 mW Channel temper
Otros transistores... 2SK1620S , 2SK1620L , 2SK1628 , 2SK1636L , 2SK1636S , 2SK1667 , 2SK1668 , 2SK1669 , IRF9540 , 2SK1690 , 2SK1691 , 2SK1692 , 2SK1693 , 2SK1698 , 2SK1736 , 2SK1739A , 2SK1771 .
History: DMP56D0UFB | UPA1727G
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