2SK168 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK168
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de 2SK168 MOSFET
2SK168 Datasheet (PDF)
2sk168.pdf
2SK168Silicon N-Channel Junction FETApplicationVHF Amplifier, Mixer, Local oscillatorOutlineTO-92 (2)1. Gate2. Source3. Drain3212SK168Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage VGDO 30 VGate to source voltage VGSS 1 VGate current IG 10 mADrain current ID 20 mAChannel power dissipation Pch 200 mWChannel temper
Otros transistores... 2SK1620S , 2SK1620L , 2SK1628 , 2SK1636L , 2SK1636S , 2SK1667 , 2SK1668 , 2SK1669 , AO3400 , 2SK1690 , 2SK1691 , 2SK1692 , 2SK1693 , 2SK1698 , 2SK1736 , 2SK1739A , 2SK1771 .
History: 2SK1669 | 2SK2422
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGMH022N10LL | AGMH022N10H | AGM85P10D | AGM85P10A | AGM7N65D | AGM6N20D | AGM665E | AGM665D | AGM65R380F | AGM655D | AGM628S | AGM628MN | AGM628MD | AGM628MAP | AGM628M | AGM4025D
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