2SK1925 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1925
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Encapsulados: TO3PB
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2SK1925 datasheet
2sk1925.pdf
Ordering number ENN4314 N-Channel Silicon MOSFET 2SK1925 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2056A High-speed diode (trr=150ns). [2SK1925] 15.6 3.2 4.8 14.0 2.0 1.6 2.0 0.6 1.0 1 2 3 1 Gate 0.6 2 Drain 3 Source 5.45 5.45 SANYO TO-3PB Specifications Absolute Maximum
2sk1925.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1925 DESCRIPTION Drain Current I = 8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Ultrahigh-speed switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 600
2sk192a.pdf
2SK192A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK192A FM Tuner Applications Unit mm VHF Band Amplifier Applications High power gain GPS = 24dB (typ.) (f = 100 MHz) Low noise figure NF = 1.8dB (typ.) (f = 100 MHz) High forward transfer admittance Yfs = 7 mS (typ.) (f = 1 kHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Sy
Otros transistores... 2SK187 , 2SK1880L , 2SK1880S , 2SK1920 , 2SK1921 , 2SK1922 , 2SK1923 , 2SK1924 , IRFB3607 , 2SK192A , 2SK1934 , 2SK1938-01R , 2SK1947 , 2SK1948 , 2SK1957 , 2SK1968 , 2SK1971 .
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