2SK1938-01R Todos los transistores

 

2SK1938-01R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1938-01R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

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2SK1938-01R Datasheet (PDF)

 4.1. Size:238K  inchange semiconductor
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2SK1938-01R

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1938-01DESCRIPTIONDrain Current I =18A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorUPSDC-DC convertersGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

 7.1. Size:244K  fuji
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2SK1938-01R

FUJI POWER MOSFET2SK1938-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFAP-IIA SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh speed switching5.50.30.3Low on-resistance 0.215.53.23.2+0.3No secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGS=30V GuaranteeAvalanche-proof 0.32.10.3 1.6+0.2 1.10.10.2 3.50.20.2Applications 5.45 5.45 0.6+0.2Switching r

 7.2. Size:219K  inchange semiconductor
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2SK1938-01R

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1938DESCRIPTIONDrain Current I =18A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorUPSGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNIT

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History: HTI2K4P15T | P0660ATF | ATM2302BNSA | VBE2509 | 2SK1762 | IPAW60R600P7S | TK16J60W5

 

 
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