AP0103GMT-HF Todos los transistores

 

AP0103GMT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP0103GMT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00255 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

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AP0103GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
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AP0103GMT-HF

AP0103GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS@Tj=125oC 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 2.55m Low On-resistance ID 140AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fas

 7.1. Size:118K  ape
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AP0103GMT-HF

AP0103GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS@Tj=125oC 40V Lower On-resistance RDS(ON) 2.99m Fast Switching Characteristic ID 220AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP0103 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

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History: DMN6140L | SE20P03 | FQD30N06TM | OSG65R760DF | WMM36N60C4 | IXTY50N085T | IRFS9523

 

 
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