AP0103GMT-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP0103GMT-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP0103GMT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00255 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP0103GMT-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0103GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
 ap0103gmt-hf.pdf pdf_icon

AP0103GMT-HF

AP0103GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS@Tj=125oC 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 2.55m Low On-resistance ID 140AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fas

 7.1. Size:118K  ape
 ap0103gp-hf.pdf pdf_icon

AP0103GMT-HF

AP0103GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS@Tj=125oC 40V Lower On-resistance RDS(ON) 2.99m Fast Switching Characteristic ID 220AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP0103 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

Другие MOSFET... 2SK2550 , 2SK2551 , 2SK2568 , 2SK2569 , 2SK2595 , 2SK2596 , 2SK2633LS , 2SK2700 , IRF640 , AP0103GP-HF , AP01L60AT , AP01L60H-HF , AP01L60J-HF , AP01L60T , AP01L60T-H-HF , AP01N15GK-HF , AP01N40G-HF .

History: 2SK1214 | 2SK1235

 

 
Back to Top

 


 
.