FK10SM-10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FK10SM-10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.13 Ohm

Encapsulados: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de FK10SM-10 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FK10SM-10 datasheet

No DATA!

Otros transistores... FDT459N, FDV301N, FDV302P, FDV303N, FDV304P, FK10KM-10, FK10KM-12, FK10KM-9, 18N50, FK10SM-12, FK10SM-9, FK10UM-10, FK10UM-12, FK10UM-9, FK10VS-10, FK10VS-12, FK10VS-9