FK10SM-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FK10SM-10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Otros transistores... FDT459N , FDV301N , FDV302P , FDV303N , FDV304P , FK10KM-10 , FK10KM-12 , FK10KM-9 , K2611 , FK10SM-12 , FK10SM-9 , FK10UM-10 , FK10UM-12 , FK10UM-9 , FK10VS-10 , FK10VS-12 , FK10VS-9 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918