Справочник MOSFET. FK10SM-10

 

FK10SM-10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FK10SM-10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.13 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для FK10SM-10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FK10SM-10 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие MOSFET... FDT459N , FDV301N , FDV302P , FDV303N , FDV304P , FK10KM-10 , FK10KM-12 , FK10KM-9 , 75N75 , FK10SM-12 , FK10SM-9 , FK10UM-10 , FK10UM-12 , FK10UM-9 , FK10VS-10 , FK10VS-12 , FK10VS-9 .

 

 
Back to Top

 


 
.