2SJ420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SJ420
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ420

2SJ420 Datasheet (PDF)

..1. Size:102K sanyo
2sj420.pdf

Ordering number:EN5064AP-Channel Silicon MOSFET2SJ420Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2116 2.5V drive.[2SJ420]8 51 : Source2 : Source3 : Source140.24 : Gate5.05 : Drain6 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SANYO : SOP8SpecificationsAbsolute Maxim

9.1. Size:23K 1
2sj424.pdf

2SJ424External dimensions 1 ...... FM20Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics(Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 60 V V V I = 250A, V = 0VDSS (BR) DSS 60 D GSV 20 V I 500 nA V = 20VGSS GSS GSI 5 A I 250 A V = 60V, V = 0VD DSS DS GSI 20 (Tch 150C) A V 4.0 V V = 10V, I = 250

9.2. Size:43K 1
2sj424 2sj425.pdf

2-2 MOS FETSpecifications List by Part NumberAbsolute Maximum RatingsIGSS IDSS VTHVDSS VGSS ID ID (pulse) PDPart EASConditions Conditions ConditionsNumber(nA) VGS (A) VDS (V) VDS ID(mJ)(V) (V) (A) (A) (W)max (V) min max (V) min max (V) ( A)2SJ424* -60 20 5 20 25 -500 20 -50 -60 -2.0 -4.0 -10 -2502SJ425 -60 20 8 32 30 -500 20 -250 -60 -2.0 -4

9.3. Size:33K 1
2sj425.pdf

2SJ425External dimensions 1 ...... FM20Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 60 V V V I = 250A, V = 0VDSS (BR) DSS 60 D GSV 20 V I 500 nA V = 20VGSS GSS GSI 8 A I 250 A V = 60V, V = 0VD DSS DS GSI 32 (Tch 150C) A V 4.0 V V = 10V, I = 250

9.4. Size:104K sanyo
2sj421.pdf

Ordering number:EN5077P-Channel Silicon MOSFET2SJ421Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2116 4V drive.[2SJ421]8 51 : Source2 : Source3 : Source140.24 : Gate5.05 : Drain6 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SANYO : SOP8SpecificationsAbsolute Maximum

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: