2SJ421 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ421
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de 2SJ421 MOSFET
2SJ421 Datasheet (PDF)
2sj421.pdf

Ordering number:EN5077P-Channel Silicon MOSFET2SJ421Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2116 4V drive.[2SJ421]8 51 : Source2 : Source3 : Source140.24 : Gate5.05 : Drain6 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SANYO : SOP8SpecificationsAbsolute Maximum
2sj424.pdf

2SJ424External dimensions 1 ...... FM20Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics(Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 60 V V V I = 250A, V = 0VDSS (BR) DSS 60 D GSV 20 V I 500 nA V = 20VGSS GSS GSI 5 A I 250 A V = 60V, V = 0VD DSS DS GSI 20 (Tch 150C) A V 4.0 V V = 10V, I = 250
2sj424 2sj425.pdf

2-2 MOS FETSpecifications List by Part NumberAbsolute Maximum RatingsIGSS IDSS VTHVDSS VGSS ID ID (pulse) PDPart EASConditions Conditions ConditionsNumber(nA) VGS (A) VDS (V) VDS ID(mJ)(V) (V) (A) (A) (W)max (V) min max (V) min max (V) ( A)2SJ424* -60 20 5 20 25 -500 20 -50 -60 -2.0 -4.0 -10 -2502SJ425 -60 20 8 32 30 -500 20 -250 -60 -2.0 -4
2sj425.pdf

2SJ425External dimensions 1 ...... FM20Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 60 V V V I = 250A, V = 0VDSS (BR) DSS 60 D GSV 20 V I 500 nA V = 20VGSS GSS GSI 8 A I 250 A V = 60V, V = 0VD DSS DS GSI 32 (Tch 150C) A V 4.0 V V = 10V, I = 250
Otros transistores... 2SK3264-01MR , 2SK3530-01MR , 2SJ413 , 2SJ416 , 2SJ417 , 2SJ419 , 2SJ418 , 2SJ420 , IRFP260N , 2SK3115 , 2SK3116 , 2SK3116-S , 2SK3116-ZJ , 2SK3129 , 2SK3131 , AP04N20GK-HF , AP04N60H-HF .
History: IXTX20N140 | EV2315 | 2SK1623 | CEG8205 | APT47N65BC3G | FIR7N60FG | 2SK2103
History: IXTX20N140 | EV2315 | 2SK1623 | CEG8205 | APT47N65BC3G | FIR7N60FG | 2SK2103



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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