Справочник MOSFET. 2SJ421

 

2SJ421 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SJ421
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для 2SJ421

 

 

2SJ421 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  sanyo
 2sj421.pdf

2SJ421 2SJ421

Ordering number:EN5077P-Channel Silicon MOSFET2SJ421Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2116 4V drive.[2SJ421]8 51 : Source2 : Source3 : Source140.24 : Gate5.05 : Drain6 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SANYO : SOP8SpecificationsAbsolute Maximum

 9.1. Size:23K  1
 2sj424.pdf

2SJ421

2SJ424External dimensions 1 ...... FM20Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics(Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 60 V V V I = 250A, V = 0VDSS (BR) DSS 60 D GSV 20 V I 500 nA V = 20VGSS GSS GSI 5 A I 250 A V = 60V, V = 0VD DSS DS GSI 20 (Tch 150C) A V 4.0 V V = 10V, I = 250

 9.2. Size:43K  1
 2sj424 2sj425.pdf

2SJ421 2SJ421

2-2 MOS FETSpecifications List by Part NumberAbsolute Maximum RatingsIGSS IDSS VTHVDSS VGSS ID ID (pulse) PDPart EASConditions Conditions ConditionsNumber(nA) VGS (A) VDS (V) VDS ID(mJ)(V) (V) (A) (A) (W)max (V) min max (V) min max (V) ( A)2SJ424* -60 20 5 20 25 -500 20 -50 -60 -2.0 -4.0 -10 -2502SJ425 -60 20 8 32 30 -500 20 -250 -60 -2.0 -4

 9.3. Size:33K  1
 2sj425.pdf

2SJ421

2SJ425External dimensions 1 ...... FM20Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 60 V V V I = 250A, V = 0VDSS (BR) DSS 60 D GSV 20 V I 500 nA V = 20VGSS GSS GSI 8 A I 250 A V = 60V, V = 0VD DSS DS GSI 32 (Tch 150C) A V 4.0 V V = 10V, I = 250

 9.4. Size:102K  sanyo
 2sj420.pdf

2SJ421 2SJ421

Ordering number:EN5064AP-Channel Silicon MOSFET2SJ420Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2116 2.5V drive.[2SJ420]8 51 : Source2 : Source3 : Source140.24 : Gate5.05 : Drain6 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SANYO : SOP8SpecificationsAbsolute Maxim

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top