AP07N70CI-H Todos los transistores

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AP07N70CI-H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP07N70CI-H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 37 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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AP07N70CI-H Datasheet (PDF)

1.1. ap07n70ci-h.pdf Size:98K _a-power

AP07N70CI-H
AP07N70CI-H

AP07N70CI-H RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ў 100% Avalanche Rated BVDSS 700V D Ў Fast Switching RDS(ON) 1.4? Ў Simple Drive Requirement ID 7A G S Description AP07N70 series are specially designed as main switching devices for universal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications. The TO-220CFM type provide high bl

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