Справочник MOSFET. AP07N70CI-H

 

AP07N70CI-H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP07N70CI-H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP07N70CI-H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP07N70CI-H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  ape
 ap07n70ci-h.pdf pdf_icon

AP07N70CI-H

AP07N70CI-HRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 700VD Fast Switching RDS(ON) 1.4 Simple Drive Requirement ID 7AGSDescriptionAP07N70 series are specially designed as main switching devices foruniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications. TheTO-220CFM type provide

Другие MOSFET... AP05N50I , AP05N50IB-HF , AP05N50P , AP05N50S-HF , AP0603GH-HF , AP0603GM-HF , AP06P20GJ-HF , AP0704GMT-HF , P0903BDG , AP0803GMP-HF , AP0803GMT-HF , AP08N60I-HF , AP08P20GP-HF , AP08P20GS-HF , AP0903GH-HF , AP0903GM-HF , AP0903GYT-HF .

History: KF6N60D | MDF6N65BTH | IRF540N | FQPF9N90C | FQB6N60CTM | NCEP023NH85AGU | SHD280502

 

 
Back to Top

 


 
.