AP07N70CI-H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP07N70CI-H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP07N70CI-H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP07N70CI-H даташит

 ..1. Size:98K  ape
 ap07n70ci-h.pdf pdf_icon

AP07N70CI-H

AP07N70CI-H RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 700V D Fast Switching RDS(ON) 1.4 Simple Drive Requirement ID 7A G S Description AP07N70 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC converter applications. The TO-220CFM type provide

Другие IGBT... AP05N50I, AP05N50IB-HF, AP05N50P, AP05N50S-HF, AP0603GH-HF, AP0603GM-HF, AP06P20GJ-HF, AP0704GMT-HF, IRF1407, AP0803GMP-HF, AP0803GMT-HF, AP08N60I-HF, AP08P20GP-HF, AP08P20GS-HF, AP0903GH-HF, AP0903GM-HF, AP0903GYT-HF