AP08P20GP-HF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP08P20GP-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm

Encapsulados: TO220

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AP08P20GP-HF datasheet

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AP08P20GP-HF

AP08P20GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 680m Fast Switching Characteristic ID -8A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP08P20 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

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AP08P20GP-HF

AP08P20GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 680m Fast Switching Characteristic ID -8A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G best combination of fast switching,

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