AP08P20GP-HF Todos los transistores

 

AP08P20GP-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP08P20GP-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP08P20GP-HF Datasheet (PDF)

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AP08P20GP-HF

AP08P20GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 680m Fast Switching Characteristic ID -8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP08P20 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the low

 6.1. Size:61K  ape
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AP08P20GP-HF

AP08P20GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 680m Fast Switching Characteristic ID -8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGbest combination of fast switching,

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History: G11 | AUIRF7734M2 | CEF05N6 | AM2336N-T1 | DMP1096UCB4 | SMOS44N80

 

 
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