AP09N70I-A Todos los transistores

 

AP09N70I-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP09N70I-A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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AP09N70I-A Datasheet (PDF)

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AP09N70I-A

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AP09N70I-A

AP09N70I-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-res

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AP09N70I-A

AP09N70I-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 700V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.85 Simple Drive Requirement ID 8.3AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugg

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AP09N70I-A

AP09N70R-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9AG RoHS CompliantSDescriptionAP09N70 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-resistance an

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