AP1430GEU6-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP1430GEU6-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.277 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP1430GEU6-HF
AP1430GEU6-HF Datasheet (PDF)
ap1430geu6-hf.pdf
AP1430GEU6-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS2 Simple Gate Drive BVDSS 60VG2D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5D2G1 Embedded Protection Diode ID 230mAS1SOT-363 RoHS Compliant & Halogen FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combina
ap1430geu6.pdf
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Liste
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