AP1430GEU6-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP1430GEU6-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.277 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для AP1430GEU6-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1430GEU6-HF даташит

 ..1. Size:61K  ape
 ap1430geu6-hf.pdf pdf_icon

AP1430GEU6-HF

AP1430GEU6-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S2 Simple Gate Drive BVDSS 60V G2 D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5 D2 G1 Embedded Protection Diode ID 230mA S1 SOT-363 RoHS Compliant & Halogen Free D1 D2 Description G1 G2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina

 4.1. Size:131K  ape
 ap1430geu6.pdf pdf_icon

AP1430GEU6-HF

AP1430GEU6-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S2 Simple Gate Drive BVDSS 60V G2 D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5 D2 G1 Embedded Protection Diode ID 230mA S1 SOT-363 RoHS Compliant & Halogen Free D1 D2 Description G1 G2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina

Другие IGBT... AP1334GEU-HF, AP13N50I-HF, AP13N50R-HF, AP13N50W, AP13P15GH-HF, AP13P15GJ-HF, AP13P15GP-HF, AP13P15GS-HF, 2SK3878, AP14S50S-HF, AP15N03GH-HF, AP15N03GJ-HF, AP15P10GH-HF, AP15P10GJ-HF, AP15P10GP, AP15P10GS, AP15P15GH-HF