Справочник MOSFET. AP1430GEU6-HF

 

AP1430GEU6-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP1430GEU6-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для AP1430GEU6-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1430GEU6-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  ape
 ap1430geu6-hf.pdf pdf_icon

AP1430GEU6-HF

AP1430GEU6-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS2 Simple Gate Drive BVDSS 60VG2D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5D2G1 Embedded Protection Diode ID 230mAS1SOT-363 RoHS Compliant & Halogen FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combina

 4.1. Size:131K  ape
 ap1430geu6.pdf pdf_icon

AP1430GEU6-HF

AP1430GEU6-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS2 Simple Gate Drive BVDSS 60VG2D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5D2G1 Embedded Protection Diode ID 230mAS1SOT-363 RoHS Compliant & Halogen FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combina

Другие MOSFET... AP1334GEU-HF , AP13N50I-HF , AP13N50R-HF , AP13N50W , AP13P15GH-HF , AP13P15GJ-HF , AP13P15GP-HF , AP13P15GS-HF , IRFP260 , AP14S50S-HF , AP15N03GH-HF , AP15N03GJ-HF , AP15P10GH-HF , AP15P10GJ-HF , AP15P10GP , AP15P10GS , AP15P15GH-HF .

History: SSF10N60A

 

 
Back to Top

 


 
.