2SK3483 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2SK3483 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3483

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO251

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2SK3483 datasheet

..1. Size:164K nec
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DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3483 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3483 is N-channel MOS Field Effect Transistor PART NUMBER PACKAGE designed for high current switching applications. 2SK3483 TO-251 (MP-3) 2SK3483-Z TO-252 (MP-3Z) FEATURES Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(

..2. Size:355K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3483 FEATURES Drain Current I = 28A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 52m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

0.1. Size:1409K cn vbsemi
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2SK3483-Z www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 40 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 37 COMPLIANT D TO-252 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

0.2. Size:287K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3483-Z FEATURES Drain Current I = 28A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 52m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

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