2SK3483. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3483

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для 2SK3483

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3483 даташит

 ..1. Size:164K  nec
 2sk3483.pdf pdf_icon

2SK3483

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3483 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3483 is N-channel MOS Field Effect Transistor PART NUMBER PACKAGE designed for high current switching applications. 2SK3483 TO-251 (MP-3) 2SK3483-Z TO-252 (MP-3Z) FEATURES Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(

 ..2. Size:355K  inchange semiconductor
 2sk3483.pdf pdf_icon

2SK3483

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3483 FEATURES Drain Current I = 28A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 52m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

 0.1. Size:1409K  cn vbsemi
 2sk3483-z.pdf pdf_icon

2SK3483

2SK3483-Z www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 40 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 37 COMPLIANT D TO-252 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

 0.2. Size:287K  inchange semiconductor
 2sk3483-z.pdf pdf_icon

2SK3483

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3483-Z FEATURES Drain Current I = 28A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 52m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3480-ZJ, 2SK3480-Z, 2SK3481, 2SK3481-S, 2SK3481-ZJ, 2SK3481-Z, 2SK3482, 2SK3482-Z, BS170, 2SK3483-Z, 2SK3484, 2SK3484-Z, 2SK3485, 2SK3486, 2SK3487, 2SK3488, 2SK3489