FK20SM-10 Todos los transistores

 

FK20SM-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FK20SM-10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 275 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2800 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.36 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FK20SM-10

 

FK20SM-10 Datasheet (PDF)

0.1. fk20sm-10.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

FK20SM-10
FK20SM-10

isc N-Channel MOSFET Transistor FK20SM-10FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 360m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

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