FK20SM-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FK20SM-10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 275 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
- Selección de transistores por parámetros
FK20SM-10 Datasheet (PDF)
fk20sm-10.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FK20SM-10FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 360m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
Otros transistores... FK16UM-6 , FK16VS-5 , FK16VS-6 , FK18SM-10 , FK18SM-12 , FK18SM-9 , FK20KM-5 , FK20KM-6 , MDF11N65B , FK20SM-5 , FK20SM-6 , FK20SM-9 , FK20UM-5 , FK20UM-6 , FK20VS-5 , FK20VS-6 , FK25SM-5 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DH850N10F | DH850N10E | DH850N10D | DH850N10B | DH850N10 | DH8290 | DH80N08B22 | DH8004D | DH8004B | DH8004 | DH60N06 | DH50N15 | DH50N06FZC | DH500P06R | DH4N150F | DH4N150B
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