FK20SM-10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FK20SM-10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FK20SM-10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FK20SM-10 даташит

 ..1. Size:258K  inchange semiconductor
 fk20sm-10.pdf pdf_icon

FK20SM-10

isc N-Channel MOSFET Transistor FK20SM-10 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 360m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Другие IGBT... FK16UM-6, FK16VS-5, FK16VS-6, FK18SM-10, FK18SM-12, FK18SM-9, FK20KM-5, FK20KM-6, AOD4184A, FK20SM-5, FK20SM-6, FK20SM-9, FK20UM-5, FK20UM-6, FK20VS-5, FK20VS-6, FK25SM-5