FK20SM-10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FK20SM-10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для FK20SM-10
FK20SM-10 Datasheet (PDF)
fk20sm-10.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FK20SM-10FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 360m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
Другие MOSFET... FK16UM-6 , FK16VS-5 , FK16VS-6 , FK18SM-10 , FK18SM-12 , FK18SM-9 , FK20KM-5 , FK20KM-6 , IRFP064N , FK20SM-5 , FK20SM-6 , FK20SM-9 , FK20UM-5 , FK20UM-6 , FK20VS-5 , FK20VS-6 , FK25SM-5 .
History: SSA47N60S
History: SSA47N60S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor