FK20SM-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FK20SM-6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de FK20SM-6 MOSFET
FK20SM-6 Datasheet (PDF)
fk20sm-10.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FK20SM-10FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 360m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
Otros transistores... FK16VS-6 , FK18SM-10 , FK18SM-12 , FK18SM-9 , FK20KM-5 , FK20KM-6 , FK20SM-10 , FK20SM-5 , IRF3205 , FK20SM-9 , FK20UM-5 , FK20UM-6 , FK20VS-5 , FK20VS-6 , FK25SM-5 , FK25SM-6 , FK30SM-5 .
History: STB9NK60ZDT4
History: STB9NK60ZDT4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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