FK20SM-6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FK20SM-6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
Тип корпуса: TO3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FK20SM-6 Datasheet (PDF)
fk20sm-10.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FK20SM-10FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 360m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
Другие MOSFET... FK16VS-6 , FK18SM-10 , FK18SM-12 , FK18SM-9 , FK20KM-5 , FK20KM-6 , FK20SM-10 , FK20SM-5 , IRF3205 , FK20SM-9 , FK20UM-5 , FK20UM-6 , FK20VS-5 , FK20VS-6 , FK25SM-5 , FK25SM-6 , FK30SM-5 .
History: AONU32320 | 2SJ542 | BSS138A | AP4N4R2H | STF20NM60D | YTF840
History: AONU32320 | 2SJ542 | BSS138A | AP4N4R2H | STF20NM60D | YTF840



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet