AP2422GY Todos los transistores

 

AP2422GY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2422GY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: 29288
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP2422GY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  ape
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AP2422GY

AP2422GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 40mD1D1G2 Surface mount package ID 4.8AS2G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the lowest possible on-resistance, ex

 9.1. Size:74K  ape
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AP2422GY

AP2428GEYPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 27mD1D1G2 Surface mount package ID 5.9AS2 RoHS compliant G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized

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AP2422GY

AP2426GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 26.5mG2 Surface Mount Package ID 6AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingG1 G2techniques to achiev

 9.3. Size:173K  ape
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AP2422GY

AP2428GN3RoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2D2 Bottom Exposed DFN BVDSS 30VD1D1 Low On-resistance RDS(ON) 27m Lower Profile ID 5.5AS2G2S1DFN3*3G1D2 D1D1 D2G1 G2S1 S2Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVDS Drain-Source Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage 10 VI

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History: UK3018G-AL3-R | A03415 | SVT044R5ND

 

 
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