AP2422GY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2422GY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: 29288

Аналог (замена) для AP2422GY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2422GY даташит

 ..1. Size:115K  ape
 ap2422gy.pdf pdf_icon

AP2422GY

AP2422GY RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V D2 D2 Lower on-resistance RDS(ON) 40m D1 D1 G2 Surface mount package ID 4.8A S2 G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, ex

 9.1. Size:74K  ape
 ap2428gey.pdf pdf_icon

AP2422GY

AP2428GEY Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V D2 D2 Lower on-resistance RDS(ON) 27m D1 D1 G2 Surface mount package ID 5.9A S2 RoHS compliant G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized

 9.2. Size:99K  ape
 ap2426gey-hf.pdf pdf_icon

AP2422GY

AP2426GEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 26.5m G2 Surface Mount Package ID 6A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing G1 G2 techniques to achiev

 9.3. Size:173K  ape
 ap2428gn3.pdf pdf_icon

AP2422GY

AP2428GN3 RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D2 D2 Bottom Exposed DFN BVDSS 30V D1 D1 Low On-resistance RDS(ON) 27m Lower Profile ID 5.5A S2 G2 S1 DFN3*3 G1 D2 D1 D1 D2 G1 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 10 V I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2332GEN-HF, AP2332GN-HF, AP2334GN-HF, AP2338GN-HF, AP2342GK-HF, AP2344GEN-HF, AP2344GN-HF, AP2348GN-HF, IRF3710, AP2426GEY-HF, AP2428GEY, AP2428GN3, AP2430GN3-HF, AP2434GN3-HF, 2SK4037, 2SK404, 2SK4042