AP2428GN3 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AP2428GN3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2428GN3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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AP2428GN3 datasheet

..1. Size:173K ape
ap2428gn3.pdf pdf_icon

AP2428GN3 RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D2 D2 Bottom Exposed DFN BVDSS 30V D1 D1 Low On-resistance RDS(ON) 27m Lower Profile ID 5.5A S2 G2 S1 DFN3*3 G1 D2 D1 D1 D2 G1 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 10 V I

7.1. Size:74K ape
ap2428gey.pdf pdf_icon

AP2428GEY Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V D2 D2 Lower on-resistance RDS(ON) 27m D1 D1 G2 Surface mount package ID 5.9A S2 RoHS compliant G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized

9.1. Size:99K ape
ap2426gey-hf.pdf pdf_icon

AP2426GEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 26.5m G2 Surface Mount Package ID 6A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing G1 G2 techniques to achiev

9.2. Size:115K ape
ap2422gy.pdf pdf_icon

AP2422GY RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V D2 D2 Lower on-resistance RDS(ON) 40m D1 D1 G2 Surface mount package ID 4.8A S2 G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, ex

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