AP2428GN3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP2428GN3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP2428GN3

AP2428GN3 Datasheet (PDF)

..1. Size:173K ape
ap2428gn3.pdf

AP2428GN3RoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2D2 Bottom Exposed DFN BVDSS 30VD1D1 Low On-resistance RDS(ON) 27m Lower Profile ID 5.5AS2G2S1DFN3*3G1D2 D1D1 D2G1 G2S1 S2Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVDS Drain-Source Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage 10 VI

7.1. Size:74K ape
ap2428gey.pdf

AP2428GEYPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 27mD1D1G2 Surface mount package ID 5.9AS2 RoHS compliant G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized

9.1. Size:99K ape
ap2426gey-hf.pdf

AP2426GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 26.5mG2 Surface Mount Package ID 6AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingG1 G2techniques to achiev

9.2. Size:115K ape
ap2422gy.pdf

AP2422GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 40mD1D1G2 Surface mount package ID 4.8AS2G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the lowest possible on-resistance, ex

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