Справочник MOSFET. AP2428GN3

 

AP2428GN3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP2428GN3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для AP2428GN3

 

 

AP2428GN3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  ape
 ap2428gn3.pdf

AP2428GN3 AP2428GN3

AP2428GN3RoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2D2 Bottom Exposed DFN BVDSS 30VD1D1 Low On-resistance RDS(ON) 27m Lower Profile ID 5.5AS2G2S1DFN3*3G1D2 D1D1 D2G1 G2S1 S2Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVDS Drain-Source Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage 10 VI

 7.1. Size:74K  ape
 ap2428gey.pdf

AP2428GN3 AP2428GN3

AP2428GEYPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 27mD1D1G2 Surface mount package ID 5.9AS2 RoHS compliant G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized

 9.1. Size:99K  ape
 ap2426gey-hf.pdf

AP2428GN3 AP2428GN3

AP2426GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 26.5mG2 Surface Mount Package ID 6AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingG1 G2techniques to achiev

 9.2. Size:115K  ape
 ap2422gy.pdf

AP2428GN3 AP2428GN3

AP2422GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 40mD1D1G2 Surface mount package ID 4.8AS2G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the lowest possible on-resistance, ex

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top