AP2428GN3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2428GN3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP2428GN3 Datasheet (PDF)
ap2428gn3.pdf

AP2428GN3RoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2D2 Bottom Exposed DFN BVDSS 30VD1D1 Low On-resistance RDS(ON) 27m Lower Profile ID 5.5AS2G2S1DFN3*3G1D2 D1D1 D2G1 G2S1 S2Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVDS Drain-Source Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage 10 VI
ap2428gey.pdf

AP2428GEYPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 27mD1D1G2 Surface mount package ID 5.9AS2 RoHS compliant G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized
ap2426gey-hf.pdf

AP2426GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 26.5mG2 Surface Mount Package ID 6AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingG1 G2techniques to achiev
ap2422gy.pdf

AP2422GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 40mD1D1G2 Surface mount package ID 4.8AS2G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the lowest possible on-resistance, ex
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IPA90R1K2C3 | SQM18N33-160H | UPA1763G | PTF2N65 | IRLR7833PBF | NCEP020N85D | SLU70R600S2
History: IPA90R1K2C3 | SQM18N33-160H | UPA1763G | PTF2N65 | IRLR7833PBF | NCEP020N85D | SLU70R600S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet