AP2451GY-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2451GY-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5(3.7) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10(16) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120(160) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032(0.057) Ohm

Encapsulados: 2928-8 J-LEAD

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AP2451GY-HF datasheet

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AP2451GY-HF

AP2451GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20V D2 D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37m D1 D1 G2 Surface Mount Package ID 5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V G1 S1 2928-8 RDS(ON) 75m Description ID -3.7A Advanced Power MOSFETs utilized ad

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AP2451GY-HF

AP2451GY Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive N-CH BVDSS 20V D2 D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37m D1 D1 G2 Surface mount package ID 5A S2 P-CH BVDSS -20V G1 S1 2928-8 RDS(ON) 75m Description ID -3.7A Advanced Power MOSFETs

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