AP2451GY-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2451GY-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5(3.7) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10(16) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120(160) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(0.057) Ohm

Тип корпуса: 2928-8 J-LEAD

Аналог (замена) для AP2451GY-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2451GY-HF даташит

 ..1. Size:86K  ape
 ap2451gy-hf.pdf pdf_icon

AP2451GY-HF

AP2451GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20V D2 D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37m D1 D1 G2 Surface Mount Package ID 5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V G1 S1 2928-8 RDS(ON) 75m Description ID -3.7A Advanced Power MOSFETs utilized ad

 6.1. Size:96K  ape
 ap2451gy.pdf pdf_icon

AP2451GY-HF

AP2451GY Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive N-CH BVDSS 20V D2 D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37m D1 D1 G2 Surface mount package ID 5A S2 P-CH BVDSS -20V G1 S1 2928-8 RDS(ON) 75m Description ID -3.7A Advanced Power MOSFETs

Другие IGBT... 2SK4042, 2SK410, 2SK413, 2SK414, 2SK415, 2SK416L, 2SK416S, 2SK417, IRF4905, AP2530AGY-HF, AP2530GY-HF, AP2531GY, AP2532GY, AP2533GY-HF, AP2535GEY-HF, AP25N10GH-HF, AP25N10GJ-HF