Справочник MOSFET. AP2451GY-HF

 

AP2451GY-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP2451GY-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5(3.7) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10(16) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120(160) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(0.057) Ohm
   Тип корпуса: 2928-8 J-LEAD

 Аналог (замена) для AP2451GY-HF

 

 

AP2451GY-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  ape
 ap2451gy-hf.pdf

AP2451GY-HF AP2451GY-HF

AP2451GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37mD1D1G2 Surface Mount Package ID 5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VG1S12928-8RDS(ON) 75mDescription ID -3.7AAdvanced Power MOSFETs utilized ad

 6.1. Size:96K  ape
 ap2451gy.pdf

AP2451GY-HF AP2451GY-HF

AP2451GYPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive N-CH BVDSS 20VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37mD1D1G2 Surface mount package ID 5AS2P-CH BVDSS -20VG1S12928-8RDS(ON) 75mDescription ID -3.7AAdvanced Power MOSFETs

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 7N60H

 

 
Back to Top