Справочник MOSFET. AP2451GY-HF

 

AP2451GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2451GY-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5(3.7) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10(16) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120(160) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(0.057) Ohm
   Тип корпуса: 2928-8 J-LEAD
 

 Аналог (замена) для AP2451GY-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2451GY-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  ape
 ap2451gy-hf.pdf pdf_icon

AP2451GY-HF

AP2451GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37mD1D1G2 Surface Mount Package ID 5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VG1S12928-8RDS(ON) 75mDescription ID -3.7AAdvanced Power MOSFETs utilized ad

 6.1. Size:96K  ape
 ap2451gy.pdf pdf_icon

AP2451GY-HF

AP2451GYPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive N-CH BVDSS 20VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37mD1D1G2 Surface mount package ID 5AS2P-CH BVDSS -20VG1S12928-8RDS(ON) 75mDescription ID -3.7AAdvanced Power MOSFETs

Другие MOSFET... 2SK4042 , 2SK410 , 2SK413 , 2SK414 , 2SK415 , 2SK416L , 2SK416S , 2SK417 , IRF4905 , AP2530AGY-HF , AP2530GY-HF , AP2531GY , AP2532GY , AP2533GY-HF , AP2535GEY-HF , AP25N10GH-HF , AP25N10GJ-HF .

History: UT110N03 | PJU3NA50 | IRFH7085

 

 
Back to Top

 


 
.