AP2851GO MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2851GO

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5(3.3) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7(6) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100(90) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04(0.08) Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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AP2851GO datasheet

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AP2851GO

AP2851GO Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V G2 S2 S2 Low On-resistance RDS(ON) 40m D2 Fast Switching Performance G1 ID 5A S1 S1 TSSOP-8 D1 P-CH BVDSS -30V RDS(ON) 80m Description ID -3.3A The Advanced Power

 9.1. Size:94K  ape
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AP2851GO

AP2852GO Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V G2 S2 S2 Low On-resistance RDS(ON) 32m D2 Fast Switching Perfromance G1 ID 5.5A S1 S1 TSSOP-8 D1 P-CH BVDSS -30V RDS(ON) 50m Description ID -4.4A The Advanced Powe

 9.2. Size:2582K  cn vbsemi
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AP2851GO

AP2852GO www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Lower Gate Charge RDS(ON) 22m Fast Switching Performance ID 6.2A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V RDS(ON) 45m ID -5.0A D1 D2 G2 G1 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units N-channel P-channel VDS Drain-Source Voltage 30 -30 V VGS

Otros transistores... AP2763I-A, AP2763W-A, AP2764AI, AP2764AI-A-HF, AP2764AI-HF, AP2764AP-A-HF, AP2764I-A, AP2765I-A-HF, MMIS60R580P, AP2852GO, AP2864I-A-HF, AP2N7002K-HF, AP2R403AGMT-HF, AP2R403GMT-HF, AP2R803AGMT-HF, AP2R803GH-HF, AP2R803GMT-HF