AP3801GM Todos los transistores

 

AP3801GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP3801GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP3801GM Datasheet (PDF)

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AP3801GM

AP3801GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Low On-resistance D RDS(ON) 70mD Fast Switching Characteristic ID -5AG RoHS Compliant SSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

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AP3801GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low Gate Charge RDS(ON) 70mD Fast Switching Characteristic ID -5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast

 9.1. Size:181K  ape
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AP38028EMHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 6.6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP38028E series are from Advanced Power innovated designD1 D2and silicon pro

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AP3801GM

AP3800YTHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 10.8mG1Converter Application ID3 10.3AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 8.5mG2Description ID3 12.7AS2Advanced Power MOSFETs from APEC providethe de

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History: AP4563AGH | VP2450N3

 

 
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