AP3801GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3801GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP3801GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3801GM даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap3801gm.pdf pdf_icon

AP3801GM

AP3801GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 70m D Fast Switching Characteristic ID -5A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 0.1. Size:92K  ape
 ap3801gm-hf.pdf pdf_icon

AP3801GM

AP3801GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low Gate Charge RDS(ON) 70m D Fast Switching Characteristic ID -5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast

 9.1. Size:181K  ape
 ap38028em.pdf pdf_icon

AP3801GM

AP38028EM Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 6.6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP38028E series are from Advanced Power innovated design D1 D2 and silicon pro

 9.2. Size:212K  ape
 ap3800yt.pdf pdf_icon

AP3801GM

AP3800YT Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 10.8m G1 Converter Application ID3 10.3A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 8.5m G2 Description ID3 12.7A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP30T10GS-HF, AP3310GH-HF, AP3310GJ-HF, AP3402GEH, AP3402GEJ, AP3403GH, AP3403GJ, AP3405GH-HF, P55NF06, AP3986I, AP3986P, AP3987I, AP3987P-HF, AP3987R, AP3988I-HF, AP3988P-HF, AP3989I